Optoelectronic Device Array with Optical Waveguide Structure

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This patent describes an optoelectronic component array that incorporates a special light guiding structure. The system uses materials and configurations that optimize the coupling and guiding of electromagnetic radiation (such as light) through lateral waveguide modes. The array elements—each containing at least one active optoelectronic layer—are designed at the nano- to micrometer scale and are encapsulated in a matrix material with a specific refractive index differential to improve performance.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Highly efficient optical sensors and detectors for scientific or industrial applications
• Miniaturized photonic circuits for data transmission and processing
• Compact optical communication devices (fiber coupling, on-chip light routing)
• Integration into advanced imaging or sensing equipment (medical imaging, environmental monitoring)
• Development of efficient on-chip light sources or receivers for optical computing

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enhanced efficiency in capturing and guiding light across an array of optoelectronic components
• Miniaturized device designs thanks to nano- to micrometer scale elements
• Improved performance due to optimization of refractive indices between active layers and surrounding matrix material
• Potential for large-scale integration into semiconductor and photonic chips
• Versatility in application owing to customizable array architectures and compatibility with various optoelectronic functions

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Ein derartiges Bauelementearray ist charakterisiert durch eine Lichtleiterstruktur zum Leiten von in das Bauelementearray einfallender elektromagnetischer Strahlung, die mindestens Mittel aufweist, die die Strahlung in laterale Wellenleitermoden koppelt, sowie durch Arrayelemente (4, 4.1, 4.2, 4.3), die benachbart zu den Mitteln, die die Strahlung in horizontale Wellenleitermoden koppeln, angeordnet sind, und jedes Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) mindestens eine aktive Schicht zur Ausbildung eines optoelektronischen Bauelements aufweist, und die Arrayelemente laterale Abmessungen im Nano- bis Mikrometerbereich aufweisen sowie mindestens von wenigstens einem Matrixmaterial (5) ummantelt sind, und durch einen Betrag des Realteils des Brechungsindex der mindestens einen aktiven Schicht, der größer ist als der Betrag des Realteils des Brechungsindex des das jeweilige Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) ummantelnden Matrixmaterials (5), wobei dieses Verhältnis der beiden Brechungsindizes in einem Abstand von der Lichtleiterstruktur bis mindestens der Abklinglänge der Felder der lateralen Wellenleitermoden gilt.