Method for the Production of Ternary Oxide Layers

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This invention presents a method for producing layers of ternary oxides (oxides composed of three different elements) on a substrate. The process involves precise temperature control, the use of specific chemical precursors, and stirring while depositing the oxide layers onto the chosen substrate.

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• Manufacturing electronic components such as transistors or capacitors that require thin film oxides
• Production of sensors utilizing ternary oxide coatings for enhanced properties
• Development of advanced batteries or fuel cells with ternary oxide layers for improved performance
• Fabrication of optical coatings for lenses or mirrors requiring custom oxide compositions

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enables precise control over the composition and structure of ternary oxide layers
• Offers a scalable and reproducible process suitable for industrial applications
• Can optimize the physical or chemical properties of the coated substrate, such as conductivity or transparency
• Supports advancements in electronics, energy storage, and sensor technologies through improved material deposition methods

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schichten ternärer Oxide, welches mindestens die folgenden Verfahrensschritte umfasst.a. Bereitstellen eines temperierbaren Reaktionsgefäßes und Bereitstellen einer beheizbaren Substrathalterung in dem Reaktionsgefäß;b. Bereitstellen eines Substrats zur Aufwachsung der Schichten ternärer Oxide und Fixierung desselben auf der Substrathalterung;c. Einfüllen einer Reaktionslösung in das beheizbare Reaktionsgefäß, wobei die Reaktionslösung mindestens ein Lösungsmittel, Prekusoren des aufzuwachsenden ternären Oxids, Reaktanden zur Einstellung eines pH-Wertes ≤ 1 und Komplexbildner umfasst;d. Temperieren des Substrats mit der beheizbaren Substrathalterung auf eine Temperatur T1und temperieren der Reaktionslösung mit dem temperierbaren Reaktionsgefäß bei einer Temperatur T2, wobei T1> T2, für einen Zeitraum t1bei gleichzeitigem Rühren der Reaktionslösung;e. Beenden des Aufwachsvorgangs.