Passivation Layer with Point Contacts for Thin-Film Solar Cells

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The invention introduces a passivation layer with point contacts for thin-film solar cells. This layer comprises a porous dielectric material containing nanorods made of conductive metal oxide. These nanorods grow through the pores, creating tiny, precise electrical contacts (point contacts) between the passivation layer and the absorber material in the solar cell, improving the cell's electrical performance.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enhancing the efficiency of thin-film solar panels in residential or commercial installations
• Improving the design of next-generation photovoltaic devices for portable electronics
• Integration in building-integrated photovoltaics (BIPV) for windows or roofing
• Development of high-performance solar cells for use in satellites and space technologies

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Reduces electrical losses in thin-film solar cells due to improved contact design
• Improves overall solar cell efficiency by optimizing charge carrier collection
• Potentially increases durability and operational lifetime of solar modules
• Enables the use of more varied and advanced materials in thin-film solar production

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Die Erfindung betrifft eine Passivierungsschicht mit Punktkontakten für Dünnschichtsolarzellen die eine poröse Schicht (pS) aus einem dielektrischen Material, wie z.B. Al2O3 oder VxOy, mit einer Schichtdicke im Bereich von 1 nm bis 50 nm aufweist. In die Poren der porösen Schicht (pS) sind Nanostäbe (NS) aus einem leitfähigen Metalloxid eingewachsen mit einer Mindestlänge, die der Schichtdicke entspricht und die bei einer Länge, die größer als die Schichtdicke der porösen Schicht ist und bis zu 1000 nm betragen kann, aus der Schicht auf einer Seite hinaus ragen. Die Nanostäbe (NS) schließen auf der Rückseite der Passivierungsschicht bündig mit dieser ab. Die Grenzflächen zwischen den Nanostäben und einem Absorber, in den sie hineinragen, bilden die Punktkontakte.