Device for Deposition of a Deposit as Precursor for a Perovskite Layer

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The invention describes a device for depositing a precursor layer as a preparation step for forming a perovskite layer on a substrate. The device includes an evacuated reaction chamber, separate thermal evaporators for both inorganic and organic precursors, and a heated substrate holder. The apparatus features a controlled gas cell system that allows precise delivery of the organic precursor close to the substrate, improving the formation of high-quality perovskite layers.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Manufacturing perovskite solar cells with improved efficiency and uniformity
• Fabrication of perovskite-based optoelectronic devices such as LEDs and photodetectors
• Research and development in advanced materials for electronics and photovoltaics
• Production of thin-film coatings for sensors or transparent electronics

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enables precise and controlled deposition of precursor materials, leading to high-quality perovskite layers
• Improves reproducibility and uniformity in perovskite layer fabrication
• Reduces contamination risks by using a closed, evacuated system
• Allows integration into automated or industrial-scale production lines
• Facilitates the development and commercial use of perovskite-based devices by ensuring consistent material properties

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Vorrichtung zur Abscheidung eines Deposits als Precursor für eine Perowskitschicht auf einem Substrat S, mindestens aufweisend eine evakuierbare Reaktionskammer (REZ), einen thermischen Verdampfer für einen anorganischen Precursor (TV1), einen thermischen Verdampfer für einen organischen Precursor (TV2) und einen heizbaren Halter für ein Substrat (S),wobei,der thermische Verdampfer für den organischen Precursor (TV2) mindestens eine temperierbare Gaszelle (G) aufweist, in der ein Gefäß zur Aufnahme des organischen Precursors (GF), eine abpumbare Gasleitungen (L) zum Gasauslass aus dem Gefäß und ein Feindosierventil (V) vor dem Ausgang aus der Gaszelle (G) angeordnet sind und wobei sich an den Ausgang aus der Gaszelle eine beheizbare Gasleitung (H) anschließt, die in die evakuierbare Reaktionskammer (REZ) mündet, so dass der organische Precursor in die Richtung und in die Nähe des Substrats geführt wird.