Method for Producing Structured a-SiNx Layers and Their Use

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This invention describes a method for manufacturing structured amorphous silicon nitride (a-SiNx) layers by intentionally utilizing previously undesirable defect formations. The process involves depositing a-SiNx:H on a substrate using specific gas ratios and deposition conditions, which allows the controlled creation of different structural patterns (with angular or circular cross-sections) in the layer. The invention includes a subsequent high-temperature treatment to achieve the desired structures.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Manufacturing advanced solar cells with optimized surface structures for enhanced efficiency
• Producing semiconductor devices with specialized dielectric or passivation layers
• Fabrication of optical components where customized surface structures are needed for specific light management
• Micro- and nano-patterning applications in electronics and photonics

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enables precise control over the micro- or nano-structuring of silicon nitride layers
• Utilizes previously unwanted defects in a productive manner, improving process efficiency
• Potentially increases performance in devices such as solar cells and semiconductors by enhancing material properties
• Offers versatility by enabling the formation of different structure shapes (angular or circular) in the layers

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Das Verfahren zur Herstellung von strukturierten a-SiNx-Schichten, das gezielt die Bildung bisher unerwünschter Defekte ausnutzt, weist mindestens die Verfahrensschritte auf: Aufbringen einer a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD, wobei für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden werden oder zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden werden, und anschließende Hochtemperaturbehandlung der aufgebrachten a-SiNx:H-Schicht.