Layer Arrangement, Electronic Component with a Layer Arrangement, and Use of a Layer Arrangement

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The invention describes a special layered structure (layer arrangement) for electronic components, especially memory devices. The structure includes two electrically insulating barrier layers with a polarization-capable layer system positioned in-between. This internal layer system can retain polarization after exposure to an electric field, and includes two charge storage layers separated by an insulating tunnel barrier.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Non-volatile memory devices such as FeRAM (Ferroelectric RAM) chips
• Data storage components in computers, smartphones, and wearable electronics
• Secure memory systems that require data retention without continuous power
• Sensors relying on polarization-dependent properties
• Next-generation semiconductor memory architectures

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enables non-volatile data storage with potentially faster switching times than traditional flash memory
• Offers excellent electrical insulation, reducing leakage and improving memory retention
• Allows for lower power consumption since data is preserved without power
• Layer arrangement can increase device reliability and durability
• Potential for high integration density in compact electronic systems

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Schichtanordnung (100) bereitgestellt, welche Folgendes aufweist: eine erste Barriereschicht (102a) und eine zweite Barriereschicht (102b), wobei die beiden Barriereschichten (102a, 102b) elektrisch isolierend sind, und eine Schichtstruktur (110), welche zwischen den beiden Barriereschichten (102a, 102b) angeordnet ist und derart eingerichtet ist, dass diese mittels eines elektrischen Feldes einer ersten Polarität (311a) und mittels eines elektrischen Feldes einer der ersten Polarität entgegengesetzten zweiten Polarität (311b) remanent polarisierbar ist, wobei die Schichtstruktur (110) mindestens eine erste Ladungsspeicherschicht (104a), eine zweite Ladungsspeicherschicht (104b) und eine zwischen der ersten Ladungsspeicherschicht (104a) und der zweiten Ladungsspeicherschicht (104b) angeordnete elektrisch isolierende Tunnelbarriereschicht (106) aufweist.