Method for Structuring a Layer and Device with a Structured Layer

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The patent describes a method for structuring thin layers by stacking two different material layers, then using pulsed light to create controlled mechanical stress at the edge of one layer, which induces a crack in the lower layer exactly at the desired location. This process allows precise structuring and separation of layers in semiconductor and electronic applications without traditional mechanical or chemical methods.

Use CasesContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Manufacturing of microelectronic components such as transistors and integrated circuits.
• Producing microscale sensor devices where precise layer separation is essential.
• Fabrication of semiconductor wafers and chips with complex multilayer structures.
• Creating electronic display panels that require patterned thin films.

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• Enables highly precise structuring of material layers without traditional etching or machining.
• Reduces chemical waste and processing steps compared to conventional structuring methods.
• Minimizes mechanical damage to delicate materials, improving device reliability and yield.
• Offers scalability and compatibility with existing semiconductor manufacturing processes.

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Ein Verfahren zur Strukturierung einer Schicht umfasst ein Bereitstellen eines Schichtstapels umfassend eine erste Schicht umfassend ein erstes Material und eine zweite Schicht umfassend ein zweites Material, wobei der Schichtstapel so erzeugt wird, dass zumindest eine erste Oberflächenkante der zweiten Schicht auf einem Oberflächenbereich der ersten Schicht angeordnet ist. Das Verfahren umfasst ein Beleuchten des Schichtstapels mit einer gepulsten Lichtquelle, so dass ein Teil eines von der gepulsten Lichtquelle ausgesendeten Lichts von dem Schichtstapel absorbiert wird und eine Umwandlung des Teils in thermische Energie erfolgt. Durch das Umwandeln wird ein mechanischer Stress in der ersten Schicht und der zweiten Schicht erzeugt, so dass ein Riss in der ersten Schicht in einem Bereich der Oberflächenkante der zweiten Schicht erzeugt wird, so dass die Strukturierung der ersten Schicht erhalten wird.