Radiation Sensor for Detection of Weak Radiation Signals

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This patent describes a radiation sensor based on a bipolar transistor structure made from layered semiconductor materials. The sensor is designed for detecting very weak radiation signals, particularly ultraviolet (UV) light, by optimizing the sensor’s layered structure for higher gain and low noise. The sensor can be implemented with silicon carbide (SiC), which enhances performance for selective UV detection.

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• Detection of weak UV radiation in scientific research instruments
• Environmental UV monitoring systems
• Industrial UV process control and safety
• Astrophysical and space applications where sensitive light detection is needed
• UV imaging for medical diagnostics
• Safety sensors for hazardous UV exposure in workplaces

BenefitsContent extracted from patent full text and abstract with AI.

• High sensitivity for detecting weak radiation signals, especially UV
• Low noise operation leading to better signal clarity
• Compact and robust design based on advanced semiconductor technology
• Improved selectivity for UV light detection
• Potential for integration with existing electronic systems
• Greater durability and suitability for harsh environments when using SiC as the material

Technical Classifications (CPCs)

Inventors & Applicants

Patent Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungssensor, der als Bipolartransistor mit Kollektor, Basis und Emitter ausgebildet ist und einen vertikalen Schichtaufbau aus mehreren Halbleiterschichten aufweist, bei dem die Basisschicht über der den Kollektor oder den Emitter bildenden Halbleiterschicht angeordnet und der Emitter bzw. Kollektor lateral so strukturiert ist, dass er weniger als 60% der Fläche der Basisschicht aufweist. Bei dem vorgeschlagenen Strahlungssensor ist der Emitter oder Kollektor als Schottky-Kontakt ausgeführt oder als dotierter Halbleiterbereich in die Basisschicht integriert. Mit dem vorgeschlagenen Strahlungssensor lässt sich eine hohe Verstärkung mit dünner Basis bei gleichzeitig niedrigem Rauschen erreichen. Der Strahlungssensor wird vorzugsweise auf Basis von SiC als Halbleitermaterial ausgebildet und eignet sich damit für eine selektive Detektion von schwachem UV-Licht.